Dónde: Instituto de Energía Solar, ETSIT, Avenida Complutense, 30
Titulaciones recomendadas: Ingeniería de Datos / Ingeniería de Telecomunicación
Propuesto por: Carlos del Cañizo Nadal (Carlos.canizo@upm.es) y David Fuertes Marrón (david.fuertes@upm.es)
Las medidas de tiempo de vida de portadores mediante técnicas de decaimiento de la fotoconductancia se realizan de forma rutinaria para controlar la calidad de las obleas de silicio a lo largo del proceso de fabricación de células solares. Basándose en los conocimientos de la física de los semiconductores, un tratamiento adecuado de los datos permite deducir, a partir de medidas a diferentes niveles de inyección y diferentes temperaturas, el valor del tiempo de vida de los portadores. A partir de ahí, se pueden obtener datos sobre las características de los defectos limitantes.
El trabajo consiste en el desarrollo de una herramienta de software que automatice la extracción de los parámetros que caracterizan los defectos limitantes, con la flexibilidad suficiente para abordar las especificidades de las obleas de silicio de diferentes tipos: tipo p, tipo n o compensadas, de polisilicio convencional o de silicio purificado por vías alternativas. Se realizará una comparación entre los enfoques analíticos y los basados en el aprendizaje automático para identificar sus puntos débiles y fuertes.Se requieren conocimientos básicos de programación, preferiblemente Python, y de técnicas de aprendizaje-máquina.
